近期，西安紫光国芯总裁任奇伟受邀参加“2021 ieee 13th international memory workshop（imw 2021，国际存储器研讨会） ”的线上会议，并作题为《3d integration technology for embedded dram》的专题报告分享。
通过对存储系统的市场需求以及未来发展的深入剖析，任总阐释了当前热门的3d集成技术在嵌入式存储器领域的广泛应用，并向与会嘉宾重点介绍了公司最新研发世界领先的超大带宽、超低功耗内嵌存储器k66凯时的解决方案——异质嵌入式dram（sedram）。
相比传统的嵌入式sram和dram存储器(esram和edram)，sedram采用纳米级互连技术将dram晶圆和不同工艺晶圆在垂直方向上互联，实现对存储器的直接访问；通过定制的dram设计支持多种容量（64mb、128mb、256mb到8gb）和多种带宽；同时为不同的工艺提供标准化接口和测试ip，使soc能够方便简单地集成。
sedram技术与传统集成技术优势对比
sedram可实现超大带宽、超低功耗、超大容量的嵌入式dram，在超算、大数据分析、人工智能、智能物联网等应用领域具有广阔应用前景。同时，基于sedram技术西安紫光国芯已成功开发多款产品，并成功实现世界首款大规模量产芯片。
相关技术论文已在2020 iedm（ieee internationalelectron device meeting）和2021 cicc（ieee customintegrated circuits conference）上公开发表。
